Artículos
-
High Voltage 4H-SiC Power MOSFETs with Boron doped gate oxide [2017]
- Categoría:
- Artículos
- Autores:
- Francisco Javier Sebastián Zúñiga , Alberto Rodríguez Alonso , María Rodríguez Rogina , Andrei Mihaila , Philippe Godignon , José Rebollo , Josep Montserrat , Maxime Berthou , María Cabello , Víctor Soler
- Fecha:
- 01 de Enero de 2017
- Es parte de:
- IEEE Transactions on Industrial Electronics