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  • High Voltage 4H-SiC Power MOSFETs with Boron doped gate oxide [2017]

    Categoría:
    Artículos
    Autores:
    Francisco Javier Sebastián Zúñiga , Alberto Rodríguez Alonso , María Rodríguez Rogina , Andrei Mihaila , Philippe Godignon , José Rebollo , Josep Montserrat , Maxime Berthou , María Cabello , Víctor Soler
    Fecha:
    01 de Enero de 2017
    Es parte de:
    IEEE Transactions on Industrial Electronics

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