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  • High Voltage 4H-SiC Power MOSFETs with Boron doped gate oxide [2017]

    Categoría:
    Artículos
    Autores:
    María Cabello , Maxime Berthou , Josep Montserrat , José Rebollo , Philippe Godignon , Andrei Mihaila , María Rodríguez Rogina , Francisco Javier Sebastián Zúñiga , Alberto Rodríguez Alonso , Victor Soler
    Fecha:
    01 de Enero de 2017
    Es parte de:
    IEEE Transactions on Industrial Electronics

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