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  • Comparative analysis of GaN HEMT vs. Si CoolMOS for a high-frequency MMC topology [2017]

    Categoría:
    Ponencias
    Autores:
    A. Ávila , A. García Bediaga , O. Oñederra , A. Rujas , Alberto Rodríguez Alonso
    Fecha:
    01 de Enero de 2017
    Es parte de:
    2017 19th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2017 ECCE Europe

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